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 Grupos de polioxometalato a escala nanométrica.
Grupos de polioxometalato a escala nanométrica. Laia Vila Nadal, Felix Iglesias Escudero, Leroy Cronin-University of Glasgow

Desarrollan una técnica basada en moléculas para aumentar el almacenamiento de información

  • Las moléculas de óxido y metal reducen el tamaño de las celdas de datos

  • Podría aumentarse la memoria de los smartphones y de las tarjetas flash

  • Para crearlas se usan materiales de bajo coste y aguantan hasta 600 grados

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Investigadores de las universidades de Glasgow y Rovira i Virgili han hallado la manera de diseñar y fabricar dispositivos de memoria basados en moléculas de óxido y metal, los llamados polioxometalatos, lo que permitiría aumentar la aumentar el almacenamiento de información en diversos dispositivos.

La nueva técnica, que aparece explicada en la revista Nature, posibilita la reducción del tamaño de las celdas de datos. Afirman sus artífices que se podría implementar en memorias flash a escala nanométrica, según recoge Sinc.

La memoria flash es una forma de almacenamiento electrónico de datos que se utiliza en dispositivos como los teléfonos inteligentes y tarjetas de memoria, pero se está llegando a los límites de la cantidad de datos que se pueden 'comprimir' en los chips convencionales.

Eliminación de barreras

El uso de moléculas individuales para reemplazar los componentes de almacenamiento de datos convencionales en la memoria flash para reducir el tamaño de los dispositivos de memoria no es nueva. 

Sin embargo, ha habido una serie de barreras prácticas como una baja estabilidad térmica y una alta resistencia que han limitado la integración de componentes de memoria moleculares en tecnologías preexistentes.

Los investigadores han diseñado, sintetizado y caracterizado electrónicamente las moléculas que potencialmente podrían ser utilizadas como nodos de almacenamiento para la memoria flash. 

Estas moléculas, que consisten en grupos de metal y óxido, son compatibles con la tecnología actual de fabricación de dispositivos y proporcionan el equilibrio adecuado de estabilidad estructural y actividad electrónica, y cuya funcionalidad electrónica es moldeable.

Los materiales son de bajo coste y aguantan hasta 600 grados

Por lo tanto, las moléculas de polioxometalato podrían tener potencial para crear aplicaciones en la memoria flash de base molecular.

Además de poder escribir en poco espacio, los materiales inorgánicos utilizados son de bajo coste, son muy resistentes y aguantan temperaturas de 600 grados. La nueva forma de preparar dispositivos también permite adaptar sus propiedades durante el proceso.

Almacenamiento más seguro

Los compuestos moleculares como estas agrupaciones de polioxometalatos se usan habitualmente en reacciones de catálisis y ahora se ha comprobado que se pueden utilizar también para almacenar información. En concreto, el compuesto empleado en los experimentos es un polioxometalato de tungsteno con selenio en su interior.

Los científicos observaron que se podía oxidar y reducir -escribir y leer- muchas veces a nivel molecular y, por tanto, se supone que es una molécula muy interesante para la creación de dispositivos de almacenamiento de datos.

Con este estudio se ha identificado por primera vez un nuevo estado de oxidación en el átomo de selenio. En el dispositivo, este el proceso de oxireducción del selenio solo se puede observar una vez y permite ser empleado como escritura-borrado.

El contenido solo puede ser leído una vez: se borra al instante

El hallazgo permite avanzar hacia una nueva forma de almacenamiento segura en el que el contenido solo puede ser leído una vez por el propio destinatario, puesto que se borraría al instante.

El catedrático Josep Maria Poblet de la URV ha contribuido a la parte teórica de la investigación, en la que también ha participado Laia Vilà-Nadal, doctorada en Química por la URV que actualmente trabaja en la Universidad de Glasgow con el grupo de Leroy Cronin, quien ha liderado este trabajo.

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